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SiC CJFET技術(shù)社區(qū)

SiC CJFET

SiC CJFET技術(shù)社區(qū)為您提供最新的SiC CJFET相關(guān)技術(shù)資訊、SiC CJFET的技術(shù)資料、SiC CJFET的電路設(shè)計(jì)方案、SiC CJFET的視頻資料、SiC CJFET的相關(guān)元器件資料以及SiC CJFET的技術(shù)應(yīng)用。

全部資訊專(zhuān)欄資料電路論壇

SiC CJFET資訊

碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場(chǎng)景的應(yīng)用價(jià)值。我們已...

安森美碳化硅 2026-04-22

Vishay推出適用于GaN和SiC開(kāi)關(guān)應(yīng)用EMI濾波的新型航天級(jí)共模扼流圈

美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款新型航天級(jí)表面貼裝共模扼流圈-...

Vishay GaN 2026-04-16

SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護(hù)方案探討

在設(shè)計(jì)常見(jiàn)的DCDC或DCAC等電路時(shí)，我們經(jīng)常遇到需要橋臂直通保護(hù)的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時(shí)間，足以應(yīng)付大部分短路工況。然而，對(duì)于SiC MOSFET器件來(lái)說(shuō)，問(wèn)題變得復(fù)雜了。因?yàn)樵谙嗤碾娏鞯燃?jí)...

英飛凌 SiC 2026-04-09

英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設(shè)計(jì)要點(diǎn)

在新能源革命與工業(yè)數(shù)字化的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領(lǐng)軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，推出了CoolSiC? MOSFET...

英飛凌 SiC 2026-04-09

第三代半導(dǎo)體的戰(zhàn)略意義：SiC和GaN如何突破硅基芯片的戰(zhàn)場(chǎng)局限

很多人想不明白為何美國(guó)以軍事用途為由列舉出海量的半導(dǎo)體禁運(yùn)名單中，其中絕大部分并不是最先進(jìn)的處理器，而是很多看似工藝并不先進(jìn)的模擬類(lèi)芯片。半導(dǎo)體作為現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其技術(shù)迭代直接推動(dòng)國(guó)防裝備的性能躍升。從第一代硅（S...

第三代半導(dǎo)體 SiC 2026-03-31

Vishay采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的1200V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率

2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-S...

Vishay SOT-227 2026-03-17

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SiC CJFET專(zhuān)欄

是德示波器如何精準(zhǔn)測(cè)量第三代半導(dǎo)體SiC的動(dòng)態(tài)特性

第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車(chē)、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而，SiC器件的高頻開(kāi)關(guān)特性也帶來(lái)了動(dòng)態(tài)測(cè)試的挑戰(zhàn)：開(kāi)關(guān)速度可達(dá)納秒級(jí)，電壓電流變化率（...

是德示波器精準(zhǔn)測(cè)量 2025-04-21

自有SiC Mos已批量應(yīng)用于主驅(qū)，產(chǎn)能達(dá)9000片/月

8月19日晚，功率半導(dǎo)體IDM龍頭士蘭微(600460)發(fā)布半年度業(yè)績(jī)報(bào)告，2024年上半年?duì)I業(yè)收入約52.74億元，同比增加17.83%，創(chuàng)出歷史同期新高。公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為 14,743 萬(wàn)元，比 2023 年同期增加虧...

SiC Mos 2024-08-21

盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)SiC碳化硅襯底公司

SiC碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)...

SiC 2023-10-28

英飛凌確認(rèn)：兩家中國(guó)SiC供應(yīng)商獲車(chē)規(guī)認(rèn)證并大規(guī)模出貨

導(dǎo)讀：9月4日，英飛凌德國(guó)總部向DIGITIMES證實(shí)，已經(jīng)提前完成來(lái)自中國(guó)兩家碳化硅（SiC）材料供應(yīng)商天岳先進(jìn)（SICC）、天科合達(dá)（TankeBlue）的車(chē)規(guī)認(rèn)證，而且已向全球客戶出貨。圖：英飛凌5月，芯片大師曾報(bào)...

SiC 2023-09-08

【資訊】全球SiC晶圓競(jìng)爭(zhēng)，進(jìn)入白熱化

來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察隨著英飛凌和 Wolfspeed 爭(zhēng)奪全球最大碳化硅晶圓廠的稱(chēng)號(hào)，全球芯片制造商正在快速采取行動(dòng)，確保碳化硅功率器件的供應(yīng)。Onsemi 和 Rohm 也希望通過(guò)巨額預(yù)付款來(lái)提高 SiC 器件的產(chǎn)量，...

SiC 2023-08-09

ROHM 1200V IGBT成功導(dǎo)入SEMIKRON-Danfoss功率模塊

ROHM Co., Ltd. 常務(wù)執(zhí)行董事CFO伊野和英（左）與SEMIKRON-Danfoss CEO Claus A. Petersen（右）。ROHM SEMIKRON-Danfoss...

ROHM SEMIKRON 2023-05-09

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查看更多>> SiC CJFET電路方案

SiC 肖特基二極管對(duì)比硅整流器

防止誤觸發(fā)的 IGBT/SiC-FET 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧

用于保護(hù)交流和直流電源電路的 SiC

用SIC JFET革命性的電路保護(hù)

1200V 450A全SiC半橋功率模塊問(wèn)世

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：線性方案中的 SiC MOSFET

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：面向高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

動(dòng)態(tài)測(cè)試證實(shí)了 SiC 開(kāi)關(guān)頻率的準(zhǔn)確性

SiC CJFET資料

羅姆推出高功率密度的新型SiC模塊，將實(shí)現(xiàn)車(chē)載充電器小型化！

rohm sic 2025-08-19 立即下載

SiC JFET Cascode應(yīng)用指南

SiC JFET Cascode 應(yīng)用指南 2025-06-28 立即下載

探索安森美（onsemi）并聯(lián)SiC Cascode JFET技術(shù)及其在高效功率轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

onsemi sic 2025-05-30 立即下載

Qorvo SIC JFET

Qorvo 晶體管 2024-06-07 立即下載

使用 InnoSwitch3-AQ（1700 V SiC 開(kāi)關(guān)）替換 400 V BEV 系統(tǒng)中的 12 V 電池.pdf

InnoSwitch3-AQ SiC 2024-04-26 立即下載

EEPW2023年6月刊

fpga sic 2023-07-24 立即下載

介紹幾款用于車(chē)載充電器應(yīng)用的 1200 V SiC MOSFET 模塊

onsemi 安森美 2023-07-04 立即下載

M1 1200 V SiC MOSFET特性及驅(qū)動(dòng)建議

onsemi 安森美 2022-09-02 立即下載

光伏逆變器、不間斷電源和儲(chǔ)能等應(yīng)用可選用這款SiC MOSFET

onsemi 安森美 2022-08-03 立即下載

用戶手冊(cè)：安森美的1200 V SiC MOSFET評(píng)估板用于能源基礎(chǔ)設(shè)施提供高能效、高功率密度和出色的散熱

onsemi 安森美 2022-07-05 立即下載

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SiC CJFET論壇

07-25 11種封裝的國(guó)產(chǎn)碳化硅模塊及新工藝頂部散熱產(chǎn)品介紹應(yīng)用

Ewyas|瀏覽：1867|回復(fù)：3| Ewyas 2025-08-07 13:58:53

07-25 11種封裝的國(guó)產(chǎn)碳化硅模塊及新工藝頂部散熱產(chǎn)品介紹應(yīng)用

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07-07 碳化硅高速電機(jī)控制器設(shè)計(jì)及效能分析

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04-15 麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅（SiC）項(xiàng)目問(wèn)題

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06-18 六月盲盒，第四關(guān)：認(rèn)識(shí)大功率、高性能汽車(chē)類(lèi)SiC牽引逆變器

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02-09 了解SiC器件的命名規(guī)則

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10-24 SiC器件之外延層基礎(chǔ)知識(shí)

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07-21 一文弄懂SiMOSFET和SiCMOSFET的導(dǎo)通電阻差異特性

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2026-02-04

觀看會(huì)議問(wèn)答精選

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專(zhuān)場(chǎng)

2025-12-25

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——智能工廠專(zhuān)場(chǎng)

2025-12-24

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——汽車(chē)電子專(zhuān)場(chǎng)

2025-12-23

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